紫光集团展示自主研发8Gb DDR4内存芯片及晶圆，助力国产存储新突破

紫光集团在其最新技术成果展示会上，首次公开展示了自主研发的8Gb DDR4内存芯片及配套晶圆。这一成果标志着中国在高端动态随机存取存储器（DRAM）领域迈出了关键一步，有望进一步缓解国产内存芯片长期依赖进口的局面。

据悉，此次展示的8Gb DDR4内存芯片由紫光集团旗下DRAM事业群自主设计并完成流片验证。芯片采用先进工艺制程，具备高带宽、低功耗和高可靠性的特点，可广泛应用于服务器、台式机、笔记本电脑及消费电子等产品。与之配套的晶圆也同步亮相，显示紫光集团已初步打通从设计到制造的完整链路。

紫光集团相关负责人表示，该款内存芯片历经多年研发攻关，突破了多项核心技术瓶颈。目前，芯片已通过内部测试，性能指标达到国际主流DDR4产品水平。下一步，集团将加快量产爬坡，并与国内主流整机厂商开展适配验证，推动国产内存的规模化商用。

行业分析师指出，全球DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光等少数企业主导，国产内存的自给率极低。紫光集团此次展示的8Gb DDR4芯片及晶圆，不仅展示了技术实力，也为国内存储产业链注入了信心。随着后续产能释放和生态完善，国产内存有望在部分细分市场形成竞争力，并带动上游设备、材料等环节协同发展。

紫光集团强调，将继续加大研发投入，推进更先进制程和更大容量内存产品的开发，同时深化与产业链上下游的合作，助力中国半导体存储产业实现自主可控与高质量发展。